Samsung’un HBM4 bellek üretimi ve sevkiyatları bugün başladı
Yapay zeka ve yüksek performanslı hesaplamalarda yeni bir sıçrama başlatabilir.
Samsung Electronics, HBM4 belleğinin seri üretimine ve sevkiyatına bugün başladı. HBM4, azami 13 Gbps hız ve 48 GB kapasiteye kadar sunulan yeni nesil yüksek bant genişliği bellek (HBM) standartı olarak veri merkezi GPU’larında kullanılmak üzere geliştirildi.
HBM4 hangi teknik özellikleri sunuyor?
HBM4, NVIDIA‘nın Vera Rubin ve AMD’nin Instinct MI450 serisi gibi veri merkezi çipleri tarafından benimsenmesi beklenen bir sonraki nesil bellek standardı olarak öne çıkıyor. Bununla birlikte, yeni standart yalnızca hız artışı sağlamıyor; kapasite, pin yapılandırması ve verimlilik tarafında da önemli değişiklikler getiriyor.
- 10nm-class DRAM Process Tech (1c) (DRAM: Dinamik Rastgele Erişimli Bellek)
- 4nm Logic Process (Logic Process: mantık üretim süreci)
- 11.7-13.0 Gbps Pin speeds
- 3.3 TB/s Bandwidth Per Stack
- 12-Hi HBM4 in 24-36 GB Capacities
- 16-Hi HBM4 in 48 GB Capacities
- 2048-pin IO
- 40% Improvement In Power Efficiency
- 10% Better Thermal Resistance vs HBM3E
- 30% Better Heat Dissipation vs HBM3E
- HBM4 Mass Production & Shipments Now
- HBM4E Sampling In 2H 2026
Basın Bülteni: Samsung Electronics, gelişmiş bellek teknolojilerinde küresel lider, bugün sektörde öncü HBM4’ünü seri üretime aldığı ve ticari ürünleri müşterilere sevk ettiğini duyurdu. Şirket bu sayede HBM4 pazarında erken liderlik konumu elde etmeyi hedefliyor.
Performans ve verimlilikte hangi iyileşmeler var?
Samsung, HBM4 ile sektör standardı olan 8 Gbps’i yaklaşık %46 oranında aşan saniyede 11.7 Gbps tutarlı hız sunuyor. Öte yandan, pin hızı 13 Gbps’e kadar artırılabiliyor ve bu sayede AI modellerinin ölçeklenmesi sırasında artan veri darboğazlarını hafifletiyor.
Ayrıca Samsung, tek yığın için bant genişliğini HBM3E’ye göre 2.7 kat artırarak maksimum 3.3 TB/s seviyesine çıkardı. Bununla birlikte enerji verimliliğinde %40 iyileşme sağlandı; termal direnç %10, ısı dağıtımı ise %30 daha iyi konuma getirildi.
Kapsite ve paketleme nasıl şekilleniyor?
Samsung, 12 katmanlı yığma teknolojisiyle HBM4’ü 24 GB ile 36 GB arasında sunuyor. Öte yandan, 16 katmanlı yığma ile kapasite seçeneklerini 48 GB’a kadar genişletti.
Pin sayısını 1,024’ten 2,048’e iki katına çıkarmanın getirdiği güç ve termal zorlukları Samsung, düşük voltajlı TSV ve PDN optimizasyonu ile çözdü. Sonuç olarak müşteriler yüksek performansla birlikte daha iyi enerji verimliliği ve termal yönetim elde ediyor.
Samsung üretimi ve pazar zamanlamasını nasıl planlıyor?
Samsung, 6. nesil 10-nm sınıfı DRAM üretim sürecini (1c) kullanarak seri üretimde stabil verim sağladı. Bununla birlikte şirket, Foundry ve Memory Businesses arasındaki DTCO çalışmasıyla üretim kalitesini ve teslim sürelerini optimize ediyor.
Şirket, HBM satışlarının 2026’da 2025’e kıyasla üç kattan fazla artmasını bekliyor ve HBM4 üretim kapasitesini proaktif şekilde genişletiyor. Öte yandan HBM4E örneklemelerinin 2026’nın ikinci yarısında başlaması ve özel HBM örneklerinin müşterilere 2027’de ulaşmaya başlaması öngörülüyor.
Sonuç olarak, Samsung’un HBM4’ü veri merkezi GPU’larında bant genişliği, kapasite ve enerji verimliliği açısından önemli bir adım teşkil ediyor. Okuyucularımız görüşlerini paylaşarak bu gelişmenin etkilerini tartışabilirler.
